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多功能X光薄膜繞射儀/Multipurpose X-Ray Thin-Film Micro Area Diffractometer

 

thinXRD

  X光繞射儀,在材料研發上為一種簡單、直接、非破壞性之材料鑑定實驗裝置,諸如對金屬材料、陶瓷材料及電子薄膜之研發具有相當的重要性。近幾年來,各項工業產品皆朝輕、薄及高效率發展,因而薄膜和鍍層廣泛被應用在技術密集型的工業上,且其發展又皆朝向厚度愈來愈薄的方向,因此,對薄膜材料之分析便愈顯現其重要性。以往傳統的X光繞射儀,已無法應付當前工業發展的需要,取而代之便是薄膜繞射儀。

 多功能高功率薄膜微區X光繞射儀(Bruker D8 Discover),使用布魯克公司新一代的旋轉式陽極(rotating anode), 繞射儀可進行薄膜低掠角繞射(Glancing Incident angle Diffraction),磊晶樣品的高解析度(High Resolution Diffraction)量測添加濃度及厚度,薄膜材料或金屬材料的殘留應力(Residual stress),以及方向性組織研究的極圖(Pole figure texture)測定,高解析度繞射亦可進行磊晶薄膜Rocking curve測定而確定其成長方向性的一致性,X光反射率(Reflectivity)量測薄膜厚度/密度及介面粗糙度。
  另外在偵測器的部份亦使用最新的半導體高解析度偵測器(Lynxeye-XET), 其最大的特色是具有很好的能量解析度(~380eV,一般閃爍計數器為1600eV),可藉由能窗的調整,以不使用單光器而達到去除因樣品中含鐵、鈷、鎳、錳等材料而產生高背景的狀況,同時偵測器亦可以由電腦設定變更其0D、1D的偵測模式,對於一台設備做多項研究時提供了最大的彈性。
一、儀器設備說明

儀器裝機時間:20181

加入貴儀時間:20181

廠牌:布魯克(Bruker)

6 kW Rotating Anode X-ray Generator

二、服務項目

1.多晶薄膜低掠角繞射(GID)

2.殘留應力(Residual stress)測定

3.極圖組織(Pole figure texture)

4.單晶薄膜Rocking curve測定及模擬分析

5.薄膜Reflectivity測定及模擬分析

6.微區繞射分析

7.  高溫繞射分析

三、取樣 注意事項

1.多晶薄膜低掠角繞射:

樣品準備:薄膜樣品,1cm*1cm

(膜厚: 20~200 nm;膜厚超過200nm者建議使用一般粉晶繞射儀即可測定)

2.殘留應力(Residual stress):薄膜樣品及金屬樣品

樣品準備:2cm*2cm,並需繞射角度(2Theta), 大於85°處有繞射尖峰

(薄膜樣品之膜厚至少須200 nm)

3.極圖組織(Pole figure texture). 薄膜樣品及金屬樣品

樣品準備:2cm*2cm

4Rocking curve

樣品準備:磊晶薄膜樣品,大於1cm*1cm

四、預約 注意事項

 本儀器以序號預約,於網路上取得預約序號者,須填寫申請表格,並將試片及申請表送交技術員才算完成預約程序。每一序號預約樣品限制數量如下:

1.多晶薄膜低掠角繞射:

          數量:一般測試條件為8個樣品,若是慢速掃瞄則為2個樣品。

2.殘留應力(Residual stress)

        數量:2個樣品。

3.極圖組織(Pole figure texture)

        數量:2個樣品。

4.Rocking curve

        數量:4個樣品。

5.Reflectivity

        數量:4個樣品。

6微區繞射分析

        數量:8個樣品

高溫繞射分析

        數量:2個樣品
 
五、收費辦法及標準(如與科技部貴重儀器資訊管理系統中的標準有差異,則以科技部貴重儀器資訊管理系統為主)

1.多晶薄膜低掠角繞射(GID),儀器使用每件 600/20分鐘,超過則累計。

 

2.殘留應力(Residual stress)測定,儀器使用每件5400

 

3.極圖組織(Pole figure texture),儀器使用每件5400

 

4.單晶薄膜Rocking curve測定,儀器使用每件1800

 

5.薄膜Reflectivity測定及模擬分析,儀器使用每件1800

6.微區繞射分析儀器使用每件1200(超過時間600/20)

7.  高溫繞射分析(洽技術員)

六、本儀器之指導教授與技術員

儀器專家: 方冠榮 教授  (06)275757562903  z8702009@email.ncku.edu.tw

技術員: 陳震銘先生    (06)2757575轉31362  jmchen@mail.ncku.edu.tw

七、本儀器放置地點

成功大學 儀設大樓2F 0213
八、申請表格
申請表格

 

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