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服務項目一覽表

儀器名稱 服務項目
軟物質穿透式電子顯微鏡
(軟物質TEM)

一般TEM明、暗視野之觀察,及影相擷取。

高解析穿透電子顯微鏡
(HR-TEM)
  1. 一般TEM明、暗視野像,HRTEM mode可達0.1nm,STEM mode可達0.12nm。
  2. 高解析掃描穿透明、暗視野像(HR STEM BF and HAADF)。
  3. nano-beam Diffraction微區繞射分析 。
  4. CBED(Convergent Beam Electron Diffraction)收斂電子束繞射圓盤強度分佈,可分析獲得微觀結構三度空間資料。
  5. EDS能量分散光譜儀可提供微區分析中化學元素的定性及半定量及化學元素mapping/linescan分析。
  6. EELS電子能量損失光譜分析儀可提供微區分析中輕元素,化學鍵結等更正確的相關資料,Energy resolution可達1ev 。
高解析掃描電子顯微鏡
(HR-SEM)
  1. 金相觀察及照相:
    1. SEI(Scanning Electron Image):奈米、金屬、陶瓷、薄膜等材料之顯微鏡影像及破斷面、金相表面觀察。
    2. BEI(Backscattered Electron Image):
      TOPO(Topography):凹凸表面形貌觀察。
      COMPO(Com position):成分元素鑑別及分析。。
  2. 能量分散式光譜儀(EDS):
    1. 微區顯微結構之定性及半定量分析,及元素分佈分析(mapping、linescanning)。
    2. 配備超高感度平插式能量分散式光譜儀(108年12月),可以用低電壓設定分析薄膜或奈米線等材料,此為最新功能的高解析分析設備。功能為定性及半定量分析,及元素分佈分析(mapping、linescanning)。
多功能環境場發掃描式
電子顯微鏡
(EFE-SEM)
  1. 表面觀察及照相:
    1. SEI(Scanning Electron Image)影像:解析度高,主要作物體表面之觀察。
    2. BEI(Backscattered Electron Image)影像:成份組成及元素鑑別分析。
      TOPO(Topography):表面凹凸形貌觀察。
      COMPO(Composition):元素分佈鑑別及分析。
  2. EDS分析: 微區成份元素定性、半定量分析、元素分布分析(mapping、linescanning)等。
分析型場發掃描式電子顯微鏡
(AFE-SEM)
  1. 金相觀察及照相:
    1. SEI(Scanning Electron Image): 影像觀察,破斷面、金相表面觀察。
    2. BEI(Backscattered Electron Image):
      TOPO(Topography),凹凸表面觀察。
      COMPO(Composition),元素鑑別及分析。
  2. 「能量分散光譜儀」(Energy Dispersive X-ray Spectrometer)可作微區成分之定性、半定量分析。
高解析感應耦合電漿
質譜分析儀
(ICP-MS)
  1. 本儀器可提供樣品中各種微量元素濃度的分析服務,分析內容依委託單位需求可分為:
    1. 半定量分析:可提供元素及元素的濃度範圍。
    2. 定量分析:提供確切的分析數據。
  2. 分析服務對象包括:材料科技研究;環境、食品及藥品研究;生物醫學、化學及工業產品分析等有關研究領域的原素分析服務。

附件:高解析液相層析串聯質譜儀(UPLC-QTOF-MS),可用以分析高效能液相層析分離及分子量測定及定量分析。

二次離子質譜儀
(SIMS)
  1. 表面成份分析 (Mass spectrum)。
  2. 縱深分佈 (Depth profile)。
高解析氣相層析飛行質譜儀
(HRMS)
  1. EI,CI,FAB,FD Mode之一般解析度質譜測定。
  2. EI,CI Mode 高解析度質譜測定及組成演算。
  3. EI,CI,FAB,FD Mode之負離子質譜測定。
固態核磁共振光譜儀
(SS-NMR)
  1. 一般服務: 13C,29Si,31P,27Al,23Na,119Sn,11B,2H,7Li,51V 等。
  2. 特殊服務:
    1. 2D。
    2. 變溫實驗。
超導核磁共振儀500NMR
(500NMR)
  1. 一維光譜:1H、13C ( DEPT90、DEPT135)、19F、31P。
  2. 二維光譜:COSY、NOESY、TOCSY、HMQC、HMBC、INADEQUATE、ROESY 。
  3. 推測分子式或結構式 (請註明樣品重量級分子量)
600MHz 核磁共振儀
(600NMR)
  1. 一維光譜:1H、13C ( DEPT90、DEPT135)、29Si、31P 等異核圖譜。
  2. 二維光譜:COSY、NOESY、ROESY、TOCSY、HMBC、HMQC 等 。
  3. 傳送圖譜及畫圖諮詢。

AVIII HD 700MHz
高磁場超導核磁共振儀
(700NMR)

  1. 一維H 核光譜:H 光譜,同核解偶光譜,選擇性NOE光譜
  2. 一維異核光譜:13C,19F,31P,29Si,2D,6Li,71Ga,17O,15N,27Al ,光譜定量,DEPT 光譜,QUAT 光譜等
  3. 二維同核光譜:COSY,NOESY,ROESY,HOHAHA,INAD QUATE,2D COSY,2D NOESY exchange 及以上各式實驗的water suppression 等
  4. 二維異核光譜:HMQC,HSQC,HMBC 及以上各式實驗的water suppression 等
  5. 自旋晶格磁緩:H核, X核(I>0)
  6. 擴散實驗:Diffusion, DOSY
  7. Obs H, Dec.31P, Obs H, Dec.19F Obs H, Dec.2D
  8. 探測dynamic 分子異構化的現象,異熱解的試樣於低溫測其結構
  9. 2D-.15N-HSQC, 2D-.13C-HSQC, 2D-NOESY, HNCA,HN(CO)CA, CBCA(CO)NH, CBCANH, HNCACB, HBHA(CO)NH, H(CCCO)NH, (CCO)NH, TROSY, HCCH-COSY, HCCH-TOCSY, 3D-.15N-NOESY, .13C-NOESY, 動力學實驗
歐傑電子能譜儀
(AES)
  1. Survey:表面元素成份分析
  2. Auger Point:特定位置元素成份分析
  3. Auger Line Scan:元素線性分析變化,例如擴散分析等
  4. Auger Mapping:元素分佈
  5. Depth profile:不同深度下元素分佈情況,例如氧化層厚度分析
小角度 X 光散射儀
(SAXS)
  1. SAXS with VANTEC-2000 for 1070 mm
  2. SAXS with VANTEC-2000 for 670 mm
  3. WAXS with VANTEC-2000 for 270 mm
  4. WAXS with IP for 98 mm
  5. WAXS with IP for 50 mm
  6. SAXS with VANTEC-2000 for 1070 mm, Heating, and Cooling
  7. SAXS with VANTEC-2000 for 670 mm, Heating, and Cooling
  8. WAXS with VANTEC-2000 for 270 mm, Heating, and Cooling
  9. Tensile with VANTEC-2000
高溫二維X-ray廣角繞射儀
(粉末X光二維繞射儀)
(XRD2)
  1. 粉末繞射 (X-Ray Diffraction)
  2. 殘留應力 (Residual Stress)
  3. 織構分析 (Texture)
  4. 變溫實驗 (Temperature) with DHS 900
  5. 拉力實驗 (Tensile)
  6. 廣角散射 (WAXS)
  7. X光反射率 (X-Ray Reflectometry)
  8. 拉力實驗 (Tensile)
  9. X光低掠角 (Grazing incidence X-Ray Diffraction)
  10. In Plane Grazing incidence X-Ray Diffraction
  11. Rocking Curve
  12. Phi Scan
元素分析儀
(EA)

元素分析儀應用於分析各式固體、液體或黏稠狀物質之氮、碳、氫、硫及氧元素,提供各元素之重量百分比。
可分析之樣品種類:

  • 化學及藥學物質
  • 地質學物質
  • 農產品
  • 油品或煤炭及其衍生物
  • 合成物
  • 環境保護類樣品
  • 有機金屬之有機成分鑑定
  • 無機金屬之表面附著或反應之有機成分鑑定
化學分析電子光譜儀
(ESCA-XPS)
  1. 表面元素成分分析
  2. Depth. profile
多功能X光薄膜微區繞射儀
(XRD)
  1. 多晶薄膜低掠角繞射(GID)
  2. 殘留應力(Residual stress)測定
  3. 極圖組織(Pole figure texture)
  4. 單晶薄膜Rocking curve測定及模擬分析
  5. 薄膜Reflectivity測定及模擬分析
  6. 微區繞射分析
  7. 高溫繞射分析
超導量子干涉磁化儀
(SQUID)
  1. 直流磁化率測量測:溫度範圍 2K~ 400K,磁場範圍 0 Gauss~±70000 Gauss。
  2. 磁滯曲線量測:溫度範圍 2K~ 400K,磁場範圍 0 Gauss~±70000 Gauss。
  3. 交流磁化率量測:溫度範圍 2K~ 400K,磁場範圍 0 Gauss~±70000 Gauss,最大交流磁場振福與頻率分別為100e與1000Hz。

※本設備提供博士後研究員等諮詢服務,對實驗結果有疑問者歡迎隨時來電或 e-mail 討論。

氦液化系統
(HLS)
  1. 氦氣液化,供應液態氦。(需於三天前預約)
  2. 回收氦氣純度測定。
  3. 液氦桶提供交換運輸。(如自備桶須於前兩天灌1/5桶液氮預冷)
前瞻聚焦離子束系統

(FIB)

  1. 超高解析定點縱剖面切割
  2. 特殊圖形製作
  3. 選擇性的Pt / C 表面蒸鍍
  4. TEM試片製備
  5. 元素成份分析
高解析Orbitrap質譜儀
串聯液相層析
暨晶片電泳分析系統
(CE/LC-MS;毛細管電泳串聯質譜儀)

本儀器提供服務包含:

壹、一般分析或定性分析項目

  1. 分子量測定
  2. 單一成分高解析ESI-MS/MS測定
  3. 額外選定離子ESI-MS/MS測定
  4. LC-MS/MS分析(大、小分子)
  5. ZipChip CE-MS 分析
  6. 蛋白質身分鑑定分析(Protein Identification Analysis)
  7. 蛋白質藥物結構分析

貳、定量分析項目

  1. LC-PRM或LC-SIM定量分析(LC-MS/MS 平行反應或目標性選擇離子監測法)
  2. 建立定量方法及檢量線
  3. 蛋白質體定量(雙甲基標定)

參、其它

  1. 資料庫搜尋
  2. In gel digestion
  3. ZipTip desalting

適合各種有機(大、小)分子量測,諸如化學化工、環境、生科、食品衛生、特化材料、生技醫藥及抗體藥物等分析,經由高解析四極柱(Quadrupole)軌道阱(Orbitrap)質譜獲得精準的離子數據,並提供蛋白質體資料庫搜尋比對服務。

物理性質量測系統儀
(PPMS)
  1. 直流磁化率量測:溫度範圍 2 K~ 400 K,磁場範圍 0 Gauss~±160000 Gauss。
  2. 交流磁化率量測:溫度範圍 2 K~ 400 K,磁場範圍 0 Gauss~±160000 Gauss。最大交流磁場振幅與頻率分別為100e與10000Hz,最低頻率10 Hz。
  3. 比熱量測:溫度範圍 2 K~ 400 K,磁場範圍 0 Gauss~±160000 Gauss。
  4. 電阻量測:溫度範圍 2 K~ 400 K,磁場範圍 0 Gauss~±160000 Gauss,電流範圍100 fA~100 mA。
  5. 熱傳導量測:溫度範圍 2 K~ 400 K,磁場範圍 0 Gauss~±160000 Gauss。
  6. 超低溫交流磁化率量測:溫度範圍 0.05 K~ 4 K,磁場範圍 0 Gauss~±120000 Gauss。最大交流磁場振幅與頻率分別為40e與10000Hz,最低頻率10 Hz。
  7. 超低溫比熱量測:溫度範圍 0.05 K~ 4 K,磁場範圍 0 Gauss~±160000 Gauss。
  8. 超低溫電阻量測:溫度範圍 0.05 K~ 4 K,磁場範圍 0 Gauss~±160000 Gauss,電流範圍100 fA~100 mA。

 

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